Envoyer le message
produits
DéTAILS DES PRODUITS
Maison > Produits >
Cellule magnétique transversale du CEI 61967-2 Chip Test Integrated Circuit Gigahertz électro

Cellule magnétique transversale du CEI 61967-2 Chip Test Integrated Circuit Gigahertz électro

Nombre De Pièces: 1
Prix: Customized
Emballage Standard: Caisse de contreplaqué
Période De Livraison: 30 jours
Méthode De Paiement: T/T
Capacité D'approvisionnement: 5 ensembles par mois
Les informations détaillées
Lieu d'origine
La Chine
Nom de marque
Sinuo
Certification
Calibration Certificate (Cost Additional)
Numéro de modèle
SN6018
Plage de fréquence:
DC-6GHz
impédance d'entrée:
50Ω±5Ω
Rapport d'onde stationnaire de tension:
≤1.75
Puissance d'entrée maximum:
1000W
Taille électronique maximum de séparation:
750mm
zone d'essai d'uniformité de champ de ±3dB:
350 millimètres X 350 millimètres
Zone d'essai recommandée maximum d'EUT:
67,5 x 67,5 x 49cm
Dimensions de cellules d'externe:
4.0m x 2.2m x 2.1m
Quantité de commande min:
1
Prix:
Customized
Détails d'emballage:
Caisse de contreplaqué
Délai de livraison:
30 jours
Conditions de paiement:
T/T
Capacité d'approvisionnement:
5 ensembles par mois
Lumière élevée:

Électro cellule magnétique du CEI 61967-2

,

Cellule de Chip Test Transverse Electro Magnetic

Description du produit

 

Cellule magnétique transversale du CEI 61967-2 Chip Test Integrated Circuit Gigahertz électro

 

Aperçu de produit pour la cellule de Chip Test Integrated Circuit GTEM :

 

La cellule transversale d'onde électromagnétique de gigahertz de GTEM (électro transversal de gigahertz magnétique) est un guide d'ondes fermé de simple-port avec une fréquence jusqu'à 20GHz.

Utilisant GTEM (onde électromagnétique transversale de gigahertz) pour l'essai de compatibilité électromagnétique est une nouvelle technologie de mesure développée dans le domaine de la compatibilité électromagnétique internationale ces dernières années. En raison des caractéristiques à bande large de GTEM (du courant continu à la micro-onde) et coût bas (seulement quelques pour cent du coût d'une chambre sourde), elle peut être employée pour des essais de susceptibilité de rayonnement électromagnétique (les essais de SME, ont parfois appelé des essais d'immunité). Elle peut également être employée pour l'essai de rayonnement électromagnétique (essai d'IEM) et l'équipement utilisé (comparé à l'essai dans la chambre sourde) a la configuration simple. Le coût est bon marché et il peut être employé pour l'essai rapide et automatique, ainsi il a été prêté de plus en plus l'attention par les personnes internationales et domestiques appropriées. Parmi elles, particulièrement pour l'essai du petit équipement, la solution de mesure de la cellule de GTEM est la meilleure solution d'essai avec le meilleur rapport de représentation-prix.

 

Normes d'essai pour la cellule de Chip Test Integrated Circuit GTEM :

 

Niveau de cellules de GTEM (électro transversal de gigahertz magnétique) EMC de cellule de GTEM :

Normes d'IEM : Établissez une base commune pour évaluer les émissions rayonnées du matériel électrique et électronique (composants).

Mesure du CEI 61967-2 d'émission électromagnétique des circuits intégrés 150kHz 1GHz à la partie : Méthode rayonnée de cellules de la mesure TEM d'émission.

Norme de SME : Pour établir une base commune pour évaluer la capacité du matériel électrique et électronique de résister à l'interférence rayonnée de champ électromagnétique.

Mesure du CEI 62132-2 de l'immunité électromagnétique de la partie des circuits intégrés 150kHz~1GHz : Méthode de cellules de TEM et de GTEM.

LE CEI 61000-4-20, EN 61000-4-20

LE CEI 61000-4-3, EN 61000-4-3

LE CEI 61000-6-3, EN 61000-6-3

LE CEI 61000-6-4, EN 61000-6-4

OIN 11452-3, SAE J1113-24

 

Composition pour la cellule de Chip Test Integrated Circuit GTEM :

 

GTEM peut être considéré comme une expansion spatiale du câble 50Ω coaxial de liaison afin d'adapter à l'objet mesuré. Le fil de noyau du câble coaxial de liaison est augmenté pour être le plat de noyau de la cellule de GTEM, et la gaine du câble coaxial de liaison est transformée en coquille de la cellule de GTEM. L'impédance caractéristique à l'intérieur de la cellule de GTEM est encore conçue pour être 50Ω. Afin d'empêcher l'onde électromagnétique d'entrée d'être reflété à l'extrémité de la cavité interne, l'extrémité du conseil de noyau est reliée à une charge assortie à bande large, et un matériel de vague-absorption est placé à l'extrémité de la cavité. Afin d'absorber les ondes électromagnétiques émises à l'extrémité.

Les propagations transversales d'onde électromagnétique le long du plat de noyau, et l'intensité de champ électrique produite est proportionnelle à la tension appliquée du plat de noyau. La force du champ à différentes positions dépend également de la taille du panneau de noyau (la distance entre le conducteur intérieur et la terre), plus près de la séparation, plus l'intensité de champ est forte.

 

Paramètres techniques pour la cellule de Chip Test Integrated Circuit GTEM :

 

Indicateurs de performance principaux :

Plage de fréquence : DC-6GHz

Impédance d'entrée : 50Ω±5Ω (valeur typique : 50Ω±2Ω)

Rapport d'onde stationnaire de tension : ≤1.75 (valeur typique : ≤1.5)

Puissance d'entrée maximum : 1000W

Dimensions de cellules d'externe : 4.0m x 2.2m x 2.1m (L X W X H)

Taille électronique maximum de séparation : 750mm

zone d'essai d'uniformité de champ de ±3dB : 350 millimètres X 350 millimètres

Zone d'essai recommandée maximum d'EUT : 67,5 x 67,5 x 49cm

Poids : 500kg

 

Plage de fréquence 80MHz-1000MHz
De puissance de sortie 70W
Gain +49dB
Type
Planéité linéaire de gain en puissance ±3dB maximum
Impédance d'entrée-sortie 50ohm
Entrée VSWR 2:1 maximum
Puissance d'entrée +0dBm maximum
Distorsion harmonique H2, H3<-20dbc of="" output="" power="" at="" 1dB="" compression="" point="" limit="">
Interface d'entrée de rf la femelle de type n de terminal (panneau avant ou panneau arrière), d'autres interfaces peut être adaptée aux besoins du client
Interface de sortie de rf la femelle de type n de terminal (panneau avant ou panneau arrière), d'autres interfaces peut être adaptée aux besoins du client
 
Cellule magnétique transversale du CEI 61967-2 Chip Test Integrated Circuit Gigahertz électro 0
 
Cellule magnétique transversale du CEI 61967-2 Chip Test Integrated Circuit Gigahertz électro 1

 

produits
DéTAILS DES PRODUITS
Cellule magnétique transversale du CEI 61967-2 Chip Test Integrated Circuit Gigahertz électro
Nombre De Pièces: 1
Prix: Customized
Emballage Standard: Caisse de contreplaqué
Période De Livraison: 30 jours
Méthode De Paiement: T/T
Capacité D'approvisionnement: 5 ensembles par mois
Les informations détaillées
Lieu d'origine
La Chine
Nom de marque
Sinuo
Certification
Calibration Certificate (Cost Additional)
Numéro de modèle
SN6018
Plage de fréquence:
DC-6GHz
impédance d'entrée:
50Ω±5Ω
Rapport d'onde stationnaire de tension:
≤1.75
Puissance d'entrée maximum:
1000W
Taille électronique maximum de séparation:
750mm
zone d'essai d'uniformité de champ de ±3dB:
350 millimètres X 350 millimètres
Zone d'essai recommandée maximum d'EUT:
67,5 x 67,5 x 49cm
Dimensions de cellules d'externe:
4.0m x 2.2m x 2.1m
Quantité de commande min:
1
Prix:
Customized
Détails d'emballage:
Caisse de contreplaqué
Délai de livraison:
30 jours
Conditions de paiement:
T/T
Capacité d'approvisionnement:
5 ensembles par mois
Lumière élevée

Électro cellule magnétique du CEI 61967-2

,

Cellule de Chip Test Transverse Electro Magnetic

Description du produit

 

Cellule magnétique transversale du CEI 61967-2 Chip Test Integrated Circuit Gigahertz électro

 

Aperçu de produit pour la cellule de Chip Test Integrated Circuit GTEM :

 

La cellule transversale d'onde électromagnétique de gigahertz de GTEM (électro transversal de gigahertz magnétique) est un guide d'ondes fermé de simple-port avec une fréquence jusqu'à 20GHz.

Utilisant GTEM (onde électromagnétique transversale de gigahertz) pour l'essai de compatibilité électromagnétique est une nouvelle technologie de mesure développée dans le domaine de la compatibilité électromagnétique internationale ces dernières années. En raison des caractéristiques à bande large de GTEM (du courant continu à la micro-onde) et coût bas (seulement quelques pour cent du coût d'une chambre sourde), elle peut être employée pour des essais de susceptibilité de rayonnement électromagnétique (les essais de SME, ont parfois appelé des essais d'immunité). Elle peut également être employée pour l'essai de rayonnement électromagnétique (essai d'IEM) et l'équipement utilisé (comparé à l'essai dans la chambre sourde) a la configuration simple. Le coût est bon marché et il peut être employé pour l'essai rapide et automatique, ainsi il a été prêté de plus en plus l'attention par les personnes internationales et domestiques appropriées. Parmi elles, particulièrement pour l'essai du petit équipement, la solution de mesure de la cellule de GTEM est la meilleure solution d'essai avec le meilleur rapport de représentation-prix.

 

Normes d'essai pour la cellule de Chip Test Integrated Circuit GTEM :

 

Niveau de cellules de GTEM (électro transversal de gigahertz magnétique) EMC de cellule de GTEM :

Normes d'IEM : Établissez une base commune pour évaluer les émissions rayonnées du matériel électrique et électronique (composants).

Mesure du CEI 61967-2 d'émission électromagnétique des circuits intégrés 150kHz 1GHz à la partie : Méthode rayonnée de cellules de la mesure TEM d'émission.

Norme de SME : Pour établir une base commune pour évaluer la capacité du matériel électrique et électronique de résister à l'interférence rayonnée de champ électromagnétique.

Mesure du CEI 62132-2 de l'immunité électromagnétique de la partie des circuits intégrés 150kHz~1GHz : Méthode de cellules de TEM et de GTEM.

LE CEI 61000-4-20, EN 61000-4-20

LE CEI 61000-4-3, EN 61000-4-3

LE CEI 61000-6-3, EN 61000-6-3

LE CEI 61000-6-4, EN 61000-6-4

OIN 11452-3, SAE J1113-24

 

Composition pour la cellule de Chip Test Integrated Circuit GTEM :

 

GTEM peut être considéré comme une expansion spatiale du câble 50Ω coaxial de liaison afin d'adapter à l'objet mesuré. Le fil de noyau du câble coaxial de liaison est augmenté pour être le plat de noyau de la cellule de GTEM, et la gaine du câble coaxial de liaison est transformée en coquille de la cellule de GTEM. L'impédance caractéristique à l'intérieur de la cellule de GTEM est encore conçue pour être 50Ω. Afin d'empêcher l'onde électromagnétique d'entrée d'être reflété à l'extrémité de la cavité interne, l'extrémité du conseil de noyau est reliée à une charge assortie à bande large, et un matériel de vague-absorption est placé à l'extrémité de la cavité. Afin d'absorber les ondes électromagnétiques émises à l'extrémité.

Les propagations transversales d'onde électromagnétique le long du plat de noyau, et l'intensité de champ électrique produite est proportionnelle à la tension appliquée du plat de noyau. La force du champ à différentes positions dépend également de la taille du panneau de noyau (la distance entre le conducteur intérieur et la terre), plus près de la séparation, plus l'intensité de champ est forte.

 

Paramètres techniques pour la cellule de Chip Test Integrated Circuit GTEM :

 

Indicateurs de performance principaux :

Plage de fréquence : DC-6GHz

Impédance d'entrée : 50Ω±5Ω (valeur typique : 50Ω±2Ω)

Rapport d'onde stationnaire de tension : ≤1.75 (valeur typique : ≤1.5)

Puissance d'entrée maximum : 1000W

Dimensions de cellules d'externe : 4.0m x 2.2m x 2.1m (L X W X H)

Taille électronique maximum de séparation : 750mm

zone d'essai d'uniformité de champ de ±3dB : 350 millimètres X 350 millimètres

Zone d'essai recommandée maximum d'EUT : 67,5 x 67,5 x 49cm

Poids : 500kg

 

Plage de fréquence 80MHz-1000MHz
De puissance de sortie 70W
Gain +49dB
Type
Planéité linéaire de gain en puissance ±3dB maximum
Impédance d'entrée-sortie 50ohm
Entrée VSWR 2:1 maximum
Puissance d'entrée +0dBm maximum
Distorsion harmonique H2, H3<-20dbc of="" output="" power="" at="" 1dB="" compression="" point="" limit="">
Interface d'entrée de rf la femelle de type n de terminal (panneau avant ou panneau arrière), d'autres interfaces peut être adaptée aux besoins du client
Interface de sortie de rf la femelle de type n de terminal (panneau avant ou panneau arrière), d'autres interfaces peut être adaptée aux besoins du client
 
Cellule magnétique transversale du CEI 61967-2 Chip Test Integrated Circuit Gigahertz électro 0
 
Cellule magnétique transversale du CEI 61967-2 Chip Test Integrated Circuit Gigahertz électro 1

 

Plan du site |  Politique de confidentialité | La Chine est bonne. Qualité Équipement d'essai d'appareils électriques Le fournisseur. 2019-2024 sinuotek.com . Tous Droites réservées.